RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2474
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link