RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2474
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link