RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2635
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link