RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2635
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link