RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3650
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link