RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
49
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2324
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link