RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
26
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
25.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
21.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
25.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
21.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4612
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link