RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
62
Autour de 55% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
62
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2710
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link