RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
104
Autour de -82% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
57
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2792
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link