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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 55% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
62
读取速度,GB/s
13.3
14.3
写入速度,GB/s
8.5
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2710
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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