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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
2443
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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