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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
81
Autour de -131% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
81
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.5
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1651
2124
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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