RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
81
Около -131% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
5.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
81
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.5
10.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1651
2124
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link