RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
81
Около -131% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
5.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
81
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.5
10.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1651
2124
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link