RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3617
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link