RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3617
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link