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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3617
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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