RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3093
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link