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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
9.8
15.6
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3093
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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