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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
74
左右 -147% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
30
读取速度,GB/s
4,178.4
15.7
写入速度,GB/s
2,201.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2742
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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