RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
49
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2221
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link