RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 49
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 14.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2221

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.A1G9O.9K4 2GB
Apacer Technology 78.A1G9O.9K4 2GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
メモリRAM