RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2221
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link