RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3077
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link