RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3077
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link