RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3081
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link