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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.2
16.9
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3081
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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