RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
49
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2914
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link