RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2914
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link