RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
77
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1976
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link