RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
49
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
41
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2238
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link