RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
49
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2238
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link