RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link