RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
24
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link