RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link