RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3238
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link