RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3143
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link