RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
70
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
70
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
1971
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link