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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 70
    左右 30% 更低的延时
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 70
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 1971

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
内存RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
内存RAM