RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston KHX426C13/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2610
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link