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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston KHX426C13/8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kingston KHX426C13/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX426C13/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.1
13.7
写入速度,GB/s
7.8
7.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2610
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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