RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
47
Autour de -114% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2182
3036
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link