RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
47
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2182
3036
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link