RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3036
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link