RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
68
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
68
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2007
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link