RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
68
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
68
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2007
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link