RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
68
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
68
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2007
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link