RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3606
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link