RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 34
    周辺 3% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 3606

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAMの比較

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
メモリRAM
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 994083 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
メモリRAM