A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

相違点

  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 12.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 66
    周辺 -175% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 13.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.2 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2429 left arrow 2925
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