RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3327
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link